10E8 antigorputzaren potentziaren optimizazioa mintzarekiko elkarrekintza hidrofobikoak eta elektrostatikoak sustatzen dituzten mutazioen konbinazioaren bidez

Abstract

[EU] Lan honetan 10E8 Fab mutanteak eraiki ziren mintzarekin elkarrekintza hidrofobikoak eta elektrostatikoak sustatzeko eta horrela, Fab basatiaren afinitatea emendatzeko. Bibliografian deskribatutako 10E8 S30R-N52R antigorputza, 10E8 S100cF antigorputza eta bibliografian egin ez den aurreko bien mutazioak konbinatzen dituen 10E8 S30R-N52R S100cF antigorputza eraiki ziren. S100cF eta S30R-N52R jada deskribatuta egonik, lan hau haien konbinazioaren (S30R-N52R S100cF) eraginaren karakterizaziora bideratuta dago. Helburua konbinazioen bidez 10E8 antigorputzaren potentzia emendatzea posiblea den aztertzea da, prozesuan mutazioen konbinazioak dituen eraginak zehaztuz, eragin horien baturaren elkarrekite fisikoa ulertuz eta atzetik dagoen elkarrekintza mekanismoa proposatuz. Horretarako, antigorputzak adierazi, disoluzioan eta mintz mikroingurunean lotura aztertu eta haien neutralaziazio gaitasuna zehaztu zen. Mutazioen konbinaketaren bidez 10E8 antigorputzaren potentzia nabarmenki emendatzea lortu da. Mutazioak konbinatzerakoan afinitatearen hobekuntzan eragin sinergikoa behatu zen, eta honen oinarria izan daitekeen mekanismo molekularra proposatu da.