Análisis, modelado y reducción de interferencias electromagnéticas en convertidores de potencia con semiconductores de alta velocidad

Abstract

Analizar las interferencias electromagnéticas producidas a altas frecuencias de conmutación por un determinado convertidor de potencia comercial de topología resonante LLC basado en dispositivos MOSFETs de banda ancha prohibida de SiC (Carburo de Silicio) y GaN (Nitruro de Galio) TIDM, y establecer un modelo que permita predecir y mitigar tales interferencias para cumplir con la normativa vigente.