Estado de la tecnología de dispositivos SiC y GaN

Abstract

Los dispositivos de silicio son fundamentales en los convertidores de potencia. Aunque existen nuevos desarrollos con este material, muchas veces el silicio tiene límites físicos que son difíciles de superar. Por esta razón, han aparecido nuevos semiconductores conocidos como wide bandgap (WBG). Estos proporcionan una mejora sustancial en comparación con el silicio. Sin embargo, a día de hoy, necesitan un mayor grado de desarrollo. Estos nuevos dispositivos presentan menores pérdidas, trabajan en rangos de 1200-1700 V y 50-100 A, con resistencias de conducción del orden de los mOhm y cargas del dispositivo de nC con temperaturas de 150-175oC con grandes perspectivas de mejora. Este artículo proporciona una revisión tecnológica de los dispositivos de electrónica de potencia de SiC y GaN con sus propiedades más características y una revisión general de los dispositivos existentes en el mercado.