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Estado de la tecnología de dispositivos SiC y GaN
(2016-07-06)
Los dispositivos de silicio son fundamentales en los convertidores de potencia. Aunque existen nuevos desarrollos con este material, muchas veces el silicio tiene límites físicos que son difíciles de superar. Por esta ...
Analysis and modelling of IGBTs parallelization fundamentals
(IEEE, 2016-12-22)
In some power electronic applications, with high current and voltage ranges, discrete devices are not enough unless parallelization techniques are employed. IGBTs are one of the most common and widespread power electronic ...