Análisis de las impedancias y distribuciones de corriente en diseños con IGBTs en paralelo

Abstract

Las aplicaciones de electrónica de potencia requieren cada vez mayores tensiones y corrientes que son imposibles de alcanzar mediante dispositivos discretos. Una solución a esta problemática es el uso de la técnica de paralelización, que permite incrementar la capacidad de corriente de los convertidores de potencia. Sin embargo, en estas topologías se dan problemas de distribución de corriente que producen la reducción del tiempo de vida de los dispositivos y el mal funcionamiento del convertidor. La paralelización requiere una optimización total de los elementos parásitos del circuito que dependen de los materiales, topología y las dimensiones físicas del layout. El objetivo de este artículo es mostrar mediante simulaciones electromagnéticas (EM model), los efectos no ideales de un layout para circuitos de potencia, haciendo posible la comprehensión y optimización de los elementos parásitos del circuito, especialmente las inductancias parásitas, y la distribución de las corrientes.